產(chǎn)品概述
M88MB6000是一款應(yīng)用于DDR3減載雙列直插內(nèi)存模組（LRDIMM）的內(nèi)存緩沖芯片。該芯片通過緩沖內(nèi)存通道的命令、地址、控制、時鐘以及數(shù)據(jù)信號，來減小內(nèi)存控制器的負(fù)載和改善信號完整性，從而增加內(nèi)存系統(tǒng)的支持容量和帶寬。
M88MB6000符合JEDEC DDR3內(nèi)存緩沖器標(biāo)準(zhǔn)。它最高支持速率DDR3-1866，支持單條容量高達(dá)64 GB的LRDIMM內(nèi)存模組，使服務(wù)器的單機(jī)內(nèi)存容量可提升到最高1536 GB。
功能特點(diǎn)
- 符合JEDEC DDR3內(nèi)存緩沖器標(biāo)準(zhǔn)
- 最高支持速率DDR3-1866
- 寄存和重新驅(qū)動命令、地址和部分控制信號，并提供兩份輸出
- 雙向重定時和重新驅(qū)動DDR3數(shù)據(jù)（DQ）信號
- 利用輸入時鐘重新生成數(shù)據(jù)選通信號（DQS）
- 生成時鐘信號給內(nèi)存芯片，其相位相對于輸入時鐘和重驅(qū)動的命令、地址和控制信號穩(wěn)定，不隨工藝、電壓和溫度變化
- 最高可支持8個物理rank
- 支持x4和x8 DRAM芯片
- 可通過SMBus讀/寫控制寄存器
- 內(nèi)置溫度傳感器，可通過SMBus訪問
- 可提供參考電壓源給DRAM芯片
- 支持個性化字節(jié)（personality bytes）
- 超低功耗
- 支持1.5 V, 1.35 V或1.25 V的VDD電壓
- 588-ball FBGA綠色封裝
- 命令和地址處理
- 支持控制字寫程序
- 支持對命令和地址（CA）信號的奇偶校驗(yàn)
- 支持CA信號的輸入總線端接（IBT）
- 支持CKE功耗管理和時鐘停止節(jié)省功耗模式
- 支持雙頻切換
- 支持軟CKE模式
- 支持刷新交錯
- 重新生成ODT信號給DRAM接口
- 支持列倍乘模式
- 支持地址/命令/控制信號的提前發(fā)送和延遲發(fā)送模式
- 提供4個獨(dú)立的CKE信號給DRAM芯片
- 提供8個獨(dú)立的片選信號（CS）給DRAM芯片
- 支持正常模式（300-1066 MHz）和測試模式（70-300 MHz）頻率
- DRAM接口的驅(qū)動特性可編程配置
- 支持CA信號弱驅(qū)動模式以節(jié)省功耗
- 支持DRAM地址反轉(zhuǎn)和MRS 3T定時模式
- 數(shù)據(jù)處理
- 雙向的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)選通DRAM內(nèi)存接口
- 雙向的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)選通內(nèi)存控制器接口
- 72個數(shù)據(jù)信號，18對差分?jǐn)?shù)據(jù)選通信號
- 內(nèi)置FIFO，以實(shí)現(xiàn)控制器和內(nèi)存接口的時間域轉(zhuǎn)換
- 控制器接口支持兩種定時模式：最小時延和最小歪斜
- 控制器接口I/O支持標(biāo)準(zhǔn)的DDR3 DRAM規(guī)范
- 優(yōu)化、低功耗的DRAM I/O接口設(shè)計(jì)
- 支持控制器接口寫對平（write leveling）
- 片上校準(zhǔn)引擎，可校準(zhǔn)DRAM接口的讀/寫數(shù)據(jù)對平和DQ/DQS時序
- DFx特性
- 透明模式
- 存儲器內(nèi)建自測（MemBIST）
- 電壓裕量測試
- 錯誤插入
典型應(yīng)用
- 高性能DDR3服務(wù)器
- 工作站??
- 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備??
- 存儲系統(tǒng)??
- 高端桌面計(jì)算機(jī)