2019年5月15日，上海市2018年度科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)隆重召開，上海市委書記李強(qiáng)出席會(huì)議并作重要講話，市委副書記、市長應(yīng)勇主持會(huì)議。會(huì)上，副市長吳清宣讀了《上海市人民政府關(guān)于表彰2018年度上海市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目（個(gè)人）的決定》，共授獎(jiǎng)300項(xiàng)。

瀾起科技作為獨(dú)立完成單位，其“高性能DDR內(nèi)存緩沖控制器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)”榮獲上海市技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。本年度技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)共評(píng)選出30項(xiàng)，其中一等獎(jiǎng)9項(xiàng)，該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在“對(duì)標(biāo)國際最高標(biāo)準(zhǔn)、最好水平，瞄準(zhǔn)全球技術(shù)新發(fā)明”，在關(guān)鍵領(lǐng)域重大課題方面選拔和鼓勵(lì)一批優(yōu)秀的創(chuàng)新成果，表彰其在基礎(chǔ)研究和發(fā)明創(chuàng)造、科技創(chuàng)新等方面作出的突出貢獻(xiàn)。

在該獲獎(jiǎng)研發(fā)項(xiàng)目中，楊崇和博士帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克了內(nèi)存接口技術(shù)瓶頸，通過系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)、高速電路設(shè)計(jì)、低功耗設(shè)計(jì)等基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)發(fā)明，為CPU與內(nèi)存間的數(shù)據(jù)交換搭建了一條“高速公路”，提高了內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫帶寬，改善了服務(wù)器性能，為全球高端服務(wù)器內(nèi)存接口領(lǐng)域做出突出貢獻(xiàn)。

由該團(tuán)隊(duì)發(fā)明的“1+9”分布式緩沖內(nèi)存子系統(tǒng)框架，突破了DDR2、DDR3的集中式架構(gòu)設(shè)計(jì)，創(chuàng)新地采用1顆寄存緩沖控制器芯片為核心、9顆數(shù)據(jù)緩沖器芯片的分布結(jié)構(gòu)布局，大幅減少了CPU與DRAM 顆粒間的負(fù)載，降低了信號(hào)傳輸損耗，解決了內(nèi)存子系統(tǒng)大容量與高速度之間的矛盾。“1+9”架構(gòu)已被JEDEC采納為國際標(biāo)準(zhǔn)，成為DDR4 LRDIMM的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，在全球各大數(shù)據(jù)中心得到廣泛應(yīng)用，凸顯了公司的技術(shù)水平及創(chuàng)新能力，也提升了我國在內(nèi)存接口領(lǐng)域的國際話語權(quán)。該項(xiàng)目共獲得發(fā)明專利40項(xiàng)，其中國外發(fā)明專利23項(xiàng)、中國國內(nèi)發(fā)明專利17項(xiàng)。

瀾起科技從成立至今，十五年來一直從事內(nèi)存接口芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)，先后推出了DDR2高級(jí)內(nèi)存緩沖器、DDR3寄存緩沖器及內(nèi)存緩沖器、DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器及數(shù)據(jù)緩沖器等一系列內(nèi)存接口芯片。憑借長期的技術(shù)積累和持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新，公司在DDR4時(shí)代確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，成為全球可提供從DDR2到DDR4內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一，上述DDR系列內(nèi)存接口芯片已成功進(jìn)入國際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計(jì)算領(lǐng)域，并占據(jù)全球市場的主要份額。

未來，公司將繼續(xù)專注于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，圍繞云計(jì)算及人工智能領(lǐng)域，不斷滿足客戶對(duì)高性能芯片的需求，在持續(xù)積累中實(shí)現(xiàn)企業(yè)的跨越式發(fā)展，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

?