2018年11月9日，第十三屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會在重慶市隆重召開，瀾起科技第二代DDR4內(nèi)存緩沖控制器芯片M88DDR4RCD02 在眾多參選產(chǎn)品中脫穎而出，獲評中國芯“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”。

一年一度的中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會由工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心（CSIP）主辦，是國內(nèi)集成電路領(lǐng)域重要的創(chuàng)新成果展示平臺和業(yè)界交流盛會。大會揭曉了2018年第十三屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果，對國內(nèi)集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新成果進(jìn)行了表彰。

據(jù)“中國芯”秘書處統(tǒng)計，2018“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集共收到來自102家企業(yè)的154款產(chǎn)品的申報材料，企業(yè)數(shù)和產(chǎn)品數(shù)均創(chuàng)歷屆新高。最終，由瀾起科技自主研發(fā)的第二代DDR4內(nèi)存緩沖控制器芯片M88DDR4RCD02 榮獲本年度中國芯 “年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎。

M88DDR4RCD02是瀾起科技推出的第二代DDR4 寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）芯片，是應(yīng)用于新一代服務(wù)器平臺的高性能內(nèi)存緩沖控制器芯片。該芯片可應(yīng)用于兩種DDR4內(nèi)存模組：寄存雙列直插內(nèi)存模組（RDIMM）和減載雙列直插內(nèi)存模組（LRDIMM）。即，該RCD既可單獨(dú)作為中央緩沖器用于RDIMM，又可以與第二代DDR4 數(shù)據(jù)緩沖器（DB）芯片組成套片，用于減載LRDIMM，為新一代服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供更高容量、更低功耗的內(nèi)存解決方案。

該芯片符合 JEDEC DDR4RCD02 標(biāo)準(zhǔn)，支持DDR4-2667的數(shù)據(jù)速率，其性能和速率均遠(yuǎn)超第一代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器芯片，后者支持的最高數(shù)據(jù)速率為DDR4-2400。M88DDR4RCD02支持 32 位 1:2 的地址和控制信號的寄存緩沖，并具有奇偶校驗(yàn)功能。隨著JEDEC標(biāo)準(zhǔn)和內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展演變，瀾起科技憑借其高速、低功耗技術(shù)，先后推出了DDR2、DDR3、DDR4等一系列內(nèi)存緩沖控制器芯片。目前，瀾起科技的內(nèi)存緩沖控制器芯片已成功進(jìn)入全球主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計算市場，并占據(jù)國際市場的重要份額。

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